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hakuto 离子刻蚀机 7.5IBE用于芯片制造中厚铝刻蚀

时间:2021-10-28  来源:伯东企业(上海)有限公司真空事业部  浏览次数:284
 在高压、大功率器件及集成电路中铝布线要求能够承受高压、大电流在恶劣的环境下具备良好的可靠性因此需要一定的铝.

沈阳某研究所采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 用于芯片制造中厚铝刻蚀.

Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 技术规格:

真空腔

1 set, 主体不锈钢,水冷

基片尺寸

1 set, 4”/6”ϕ Stage, 直接冷却,

离子源

ϕ 8cm 考夫曼离子源 KDC75

离子束入射角

0 Degree± 90 Degree

极限真空

1x10-4 Pa

刻蚀性能

一致性: ≤±5% across 4”

 Hakuto 离子刻蚀机 7.5IBE 的核心构件离子源是配伯东公司代理美国考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的考夫曼离子源 KDC 75

 伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC75 技术参数:

 离子源型号

 离子源 KDC 75 

Discharge

DC 热离子

离子束流

>250 mA

离子动能

100-1200 V

栅极直径

7.5 cm Φ

离子束

聚焦平行散射

流量

2-15 sccm

通气

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型压力

< 0.5m Torr

长度

20.1 cm

直径

14 cm

中和器

灯丝

若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :

上海伯东 : 罗先生                               台湾伯东 : 王小姐
T: +86-21-5046-1322                      T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
M: +86                      M: +886-939-653-958
www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw

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