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Hakuto离子蚀刻机 20IBE-J用于陶瓷基片银薄膜减薄

时间:2021-10-28  来源:伯东企业(上海)有限公司真空事业部  浏览次数:271
 某陶瓷基片制造商采用伯东  Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 应用于 5G 陶瓷基片银薄膜减薄通过蚀刻工艺把基片涂层银薄膜刻蚀减薄并降低工差提高薄膜均匀性.

Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 技术参数

 

Φ4 inch X 12

基片尺寸

Φ4 inch X 12

Φ5 inch X 10

Φ6 inch X 8

均匀性

±5%

硅片刻蚀率

20 nm/min

样品台

直接冷却,水冷

离子源

Φ20cm 考夫曼离子源

 

Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-J 的核心构件离子源采用的是伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的射频离子源 RFICP220

伯东 KRI 射频离子源 RFICP 220 技术参数:

离子源型号

RFICP 220

Discharge

RFICP 射频

离子束流

>800 mA

离子动能

100-1200 V

栅极直径

20 cm Φ

离子束

聚焦平行散射

流量

10-40 sccm

通气

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型压力

< 0.5m Torr

中和器

LFN 2000

 

推荐  Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J  理由:

1. 客户要求规模化生产,  Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 适合大规模量产使用

2. 刻蚀均匀性 5%, 满足客户要求

3. 硅片刻蚀率 20 nm/min

若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :

上海伯东 : 罗先生                               台湾伯东 : 王小姐
T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
M: +86                      M: +886-939-653-958
www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw

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